IPW60R125CP 丝印6R125P 650V TO-247 功率MOS管
IPW60R125CP MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
IPW60R125CP N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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规格书
IPW60R125CP产品图片
IPW60R125CP
产品概述
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IPW60R125CP
产品一般说明
规格
| FET 类型 |
N 沟道 |
| 技术 |
MOSFET（金属ω 氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） |
600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
3.5V @ 1.1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
70nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
2500pF @ 100V |
| Vgs（最大值） |
±20V |
| FET 功能 |
- |
| 功率耗散（最大值） |
208W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
125 毫欧 @ 16A，10V |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 |
通孔 |
| 供应商器件封装 |
PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 |
TO-247-3 |
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本产品网址：http://www.ydsic.com/IPW60R125CP/541938.html
