SPW35N60C3 丝印35N60C3 TO-247 场效应MOS管
SPW35N60C3 MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
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规格书
SPW35N60C3产品图片
SPW35N60C3产品特性
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SPW35N60C3产品一般信息
规格
| FET 类型 |
N 沟道 |
| 技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） |
650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
34.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） |
10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
3.9V @ 1.9mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
200nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs |
10V |
| Vgs（最大值） |
±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
4500pF |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds |
25V |
| FET 功能 |
- |
| 功率耗散（最大值） |
313W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
100 毫欧 @ 21.9A，10V |
| 工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 |
通孔 |
| 供应商器件》封装 |
PG-TO247-3 |
| 封装/外壳 |
TO-247-3 |
|
产品链接：http://www.ydsic.com/SPW35N60C3/541948.html
