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              2. <dl id='k2umZD'></dl>
                3. <blockquote id='k2umZD'><q id='k2umZD'><noscript id='k2umZD'></noscript><dt id='k2umZD'></dt></q></blockquote><noframes id='k2umZD'><i id='k2umZD'></i>
                


                

                
  
  
                
    
    
      
                
        
        
                
          
            
                
              
              
                
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            标准包装
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            包装
            标准卷带
        
                
        
                
            类别
            分立半导体产品
        
                
        
                
            产品族
            晶体管 - FET，MOSFET - 单
        
                
        
                
            系列
            OptiMOS™
        
                
                    

                

                规格
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
                        FET 类型
                        N 沟道
                    
                
                    
                
                        技术
                        MOSFET（金属氧化物）
                    
                
                    
                
                        电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
                        28A（Ta），100A（Tc）
                    
                
                    
                
                        驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
                        4.5V，10V
                    
                
                    
                
                        不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
                        2.2V @ 250µA
                    
                
                    
                
                        不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
                        44nC @ 10V
                    
                
                    
                
                        不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
                        2800pF @ 15V
                    
                
                    
                
                        Vgs（最大值）
                        ±20V
                    
                
                    
                
                        FET 功能
                        -
                    
                
                    
                
                        功率耗散（最大值）
                        2.5W（Ta），69W（Tc）
                    
                
                    
                
                        不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
                        1.9 毫欧 @ 30A，10V
                    
                
                    
                
                        工作温度
                        -55°C ~ 150°C（TJ）
                    
                
                    
                
                        安装类型
                        表面贴装
                    
                
                    
                
                        供应商器件封装
                        PG-TDSON-8
                    
                
                    
                
                        封装/外壳
                        8-PowerTDFN
                
                                         		
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                 
                




                

                

                

                

                


                

                


                


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