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            标准包装
            3,000
        
                
        
                
            包装
            标准卷带
        
                
        
                
            类别
            分立半导体□产品
        
                
        
                
            产品族
            晶体管 - FET，MOSFET - 单
        
                
                    

                

                规格
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
                        FET 类型
                        P 沟道
                    
                
                    
                
                        技术
                        MOSFET（金属№氧化物）
                    
                
                    
                
                        电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
                        120mA（Ta）
                    
                
                    
                
                        驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
                        2.7V，4.5V
                    
                
                    
                
                        不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
                        1.5V @ 250µA
                    
                
                    
                
                        不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
                        0.31nC @ 4.5V
                    
                
                    
                
                        不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
                        11pF @ 10V
                    
                
                    
                
                        Vgs（最大值）
                        ±8V
                    
                
                    
                
                        FET 功能
                        -
                    
                
                    
                
                        功率耗散（最大值）
                        350mW（Ta）
                    
                
                    
                
                        不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
                        10 欧姆 @ 200mA，4.5V
                    
                
                    
                
                        工作温度
                        -55°C ~ 150°C（TJ）
                    
                
                    
                
                        安装类型
                        表面贴装
                    
                
                    
                
                        供应商器件封装
                        SOT-23
                    
                
                    
                
                        封装/外壳
                        TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
                
                                         		
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                 
                




                

                

                

                

                


                

                


                


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