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                AOB2918L
                

                
    
        
                
            数据列表
            AO(T,B,TF)2918L;
                
            TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;                		
        
                
        
                
            标准包装
            800
        
                
        
                
            包装
            标准卷带
        
                
        
                
            类别
            分立半导体ω产品
        
                
        
                
            产品族
            晶体管 - FET，MOSFET - 单
        
                
                    

                

                规格
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
                        FET 类型
                        N 沟道
                    
                
                    
                
                        技术
                        MOSFET（金属※氧化物）
                    
                
                    
                
                        电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
                        13A（Ta），90A（Tc）
                    
                
                    
                
                        驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
                        10V
                    
                
                    
                
                        不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
                        3.9V @ 250µA
                    
                
                    
                
                        不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
                        53nC @ 10V
                    
                
                    
                
                        不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
                        3430pF @ 50V
                    
                
                    
                
                        Vgs（最大值）
                        ±20V
                    
                
                    
                
                        FET 功能
                        -
                    
                
                    
                
                        功率耗散（最大值）
                        2.1W（Ta），267W（Tc）
                    
                
                    
                
                        不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
                        7 毫欧 @ 20A，10V
                    
                
                    
                
                        工作温度
                        -55°C ~ 175°C（TJ）
                    
                
                    
                
                        安装类型
                        表面贴装
                    
                
                    
                
                        供应商器件封装
                        TO-263（D²Pak）
                    
                
                    
                
                        封装/外壳
                        TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
                
                                         		
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                 
                




                

                

                

                

                


                

                


                


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