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                AON7410

                数据列表 AON7410;
                DFN3x3-8L Pkg Drawing;
                标准包装 5,000
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 -

                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET(金属氧化物)
                漏源电压(Vdss) 30V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.5A(Ta),24A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
                Vgs(最大值) ±20V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),20W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 8A,10V
                工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                供应商器件封装 8-DFN(3x3)
                封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线

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