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                TK42A12N1

                数据列表 TK42A12N1;
                标准包装 50
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 U-MOSVIII-H


                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET(金属氧化物)
                漏源电压(Vdss) 120V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
                Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC
                Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
                Vgs(最大值) ±20V
                Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF
                Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 35W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.4 毫欧 @ 21A,10V
                工作温度 150°C(TJ)
                安装类型 通孔
                供应商器件封装 TO-220SIS
                封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片

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