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AON7752
数据列表
AON7752;
DFN3x3-8L Pkg Drawing;
标准包装
5,000
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Ta),16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V
Voltage Coupled to Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
605pF @ 15V
Voltage Coupled to Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),20W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8.2 毫欧 @ 16A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN(3x3)
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线
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