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IPD70N10S3-12
数据列表
IPD70N10S3-12;
标准包装
2,500
包装
标准卷带
类别
分立半导体〓产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
OptiMOS™
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属◣氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
65nC @ 10V
电压,耦合至栅极卐电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的∏输入电容(Ciss)(最大值)
4355pF @ 25V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds
25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11.1 毫欧 @ 70A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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