• <tr id='bapJ0t'><strong id='bapJ0t'></strong><small id='bapJ0t'></small><button id='bapJ0t'></button><li id='bapJ0t'><noscript id='bapJ0t'><big id='bapJ0t'></big><dt id='bapJ0t'></dt></noscript></li></tr><ol id='bapJ0t'><option id='bapJ0t'><table id='bapJ0t'><blockquote id='bapJ0t'><tbody id='bapJ0t'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='bapJ0t'></u><kbd id='bapJ0t'><kbd id='bapJ0t'></kbd></kbd>
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              <i id='bapJ0t'></i>
              2. <dl id='bapJ0t'></dl>
                3. <blockquote id='bapJ0t'><q id='bapJ0t'><noscript id='bapJ0t'></noscript><dt id='bapJ0t'></dt></q></blockquote><noframes id='bapJ0t'><i id='bapJ0t'></i>
                


                

                
  
  
                
    
    
      
                
        
        
                
          
            
                
              
              
                
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                SPW35N60C3
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
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                        包装
                        管件
                    
                
                    
                
                        零件状态
                        不適用〓於新設計
                    
                
                    
                
                        类别
                        分立半导体々产品
                    
                
                    
                
                        产品族
                        晶体管 - FET，MOSFET - 单
                    
                
                    
                
                        系列
                        CoolMOS™
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                


                
规格
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
                        FET 类型
                        N 沟道
                    
                
                    
                
                        技术
                        MOSFET（金属☉氧化物）
                    
                
                    
                
                        漏源电压（Vdss）
                        650V
                    
                
                    
                
                        电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
                        34.6A（Tc）
                    
                
                    
                
                        驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
                        10V
                    
                
                    
                
                        不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
                        3.9V @ 1.9mA
                    
                
                    
                
                        不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
                        200nC
                    
                
                    
                
                        电压，耦合至栅∩极电荷（Qg）（最大）@ Vgs
                        10V
                    
                
                    
                
                        Vgs（最大值）
                        ±20V
                    
                
                    
                
                        不同 Vds 时的∞输入电容（Ciss）（最大值）
                        4500pF
                    
                
                    
                
                        电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds
                        25V
                    
                
                    
                
                        FET 功能
                        -
                    
                
                    
                
                        功率耗散（最大值）
                        313W（Tc）
                    
                
                    
                
                        不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
                        100 毫欧 @ 21.9A，10V
                    
                
                    
                
                        工作温度
                        -55°C ~ 150°C（TJ）
                    
                
                    
                
                        安装类型
                        通孔
                    
                
                    
                
                        供应商器件封装
                        PG-TO247-3
                    
                
                    
                
                        封装/外壳
                        TO-247-3
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                 
                




                

                

                

                

                


                

                


                


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