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                PHP18NQ10T

                一般信息

                数据列表 PHB,PHD,PHP18NQ10T
                 
                标准包装   50
                包装   管件 
                类别 分】立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 TrenchMOS™
                其它名称 568-5754 
                568-5754-5 
                568-5754-ND 
                934055698127 
                PHP18NQ10T 
                PHP18NQ10T,127-ND 
                PHP18NQ10T-ND 
                PHP18NQ10T127 
                 


                规格

                FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
                FET 功能 标准
                漏源极电压(Vdss) 100V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 9A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
                不同 Vgs 时的栅极□ 电荷(Qg) 21nC @ 10V
                不同 Vds 时的●输入电容(Ciss) 633pF @ 25V
                功率 - 最大值 79W
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 通孔
                封装/外壳 TO-220-3
                供应商器件封装 TO-220AB


                 

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