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                PSMN005-55B

                一般信息

                数据列表 PSMN005-55B,P
                 
                标准包装   800
                包装   标准卷带 
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 TrenchMOS™
                其它名称 934055637118 
                PSMN005-55B /T3 
                PSMN005-55B /T3-ND 
                 


                规格

                FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
                FET 功能 逻辑电平门
                漏源极电压(Vdss) 55V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 25A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
                不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 103nC @ 5V
                不同 Vds 时的输入电◆容(Ciss) 6500pF @ 25V
                功率 - 最大值 230W
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
                供应商器件封装 D2PAK


                 

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