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                IRFR13N20D

                一般信息

                数据列表 IRF(R,U)13N20DPbF
                 
                标准包装   2,000
                包装   标准卷带 
                类别 分立半◆导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 IRFR13N20DPBFTR 
                IRFR13N20DTRPBF-ND 
                IRFR13N20DTRPBFTR-ND 
                SP001567488 
                 


                规格

                FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化▃物
                FET 功能 标准
                漏源ζ 极电压(Vdss) 200V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 8A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 38nC @ 10V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 830pF @ 25V
                功率 - 最大值 110W
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
                供应商器件封装 D-Pak


                 

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