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                IRFR9N20D

                一般信息

                数据列表 IRFR9N20DPbF, IRFU9N20DPbF
                 
                标准包装   2,000
                包装   标准卷带 
                类别 分卐立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 IRFR9N20DTRPBF-ND 
                IRFR9N20DTRPBFTR 
                SP001552256 
                 


                规格

                FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
                FET 功能 标准
                漏源极电压(Vdss) 200V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 5.6A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极ζ 电荷(Qg) 27nC @ 10V
                不同 Vds 时的○输入电容(Ciss) 560pF @ 25V
                功率 - 最大值 86W
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
                供应商器件封装 D-Pak


                 

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