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                IRFR8314

                一般信息

                数据列表 IRFR8314PbF
                 
                标准包装   2,000
                包装   标准卷带 
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 IRFR8314TRPBFTR 
                SP001565102 
                 


                规格

                FET 类型 MOSFET N 通道,金属↘氧化物
                FET 功能 标准
                漏源极电压(Vdss) 30V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 90A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 90A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 100µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 54nC @ 4.5V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4945pF @ 15V
                功率 - 最大值 125W
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
                供应商器件封装 D-PAK(TO-252AA)

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