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                IRFS4321
                

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                        数据列表
                        IRFS(L)4321PbF;
                
                                         		
                    
                
                    
                
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                        包装  
                        标准卷带 
                    
                
                    
                
                        类别
                        分立半导体产品
                    
                
                    
                
                        产品族
                        晶体管 - FET，MOSFET - 单
                    
                
                    
                
                        系列
                        HEXFET®
                    
                
                    
                
                        其它名称
                        IRFS4321TRLPBFTR 
                
                        SP001565002 
                
                                         		
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                


                
规格
                

                
    
        
                
            
            
                
                
                    
                
                        FET 类型
                        N 沟道
                    
                
                    
                
                        技术
                        MOSFET (Metal Oxide)
                    
                
                    
                
                        漏源极电压（Vdss）
                        150V
                    
                
                    
                
                        电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
                        85A（Tc）
                    
                
                    
                
                        不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
                        15 毫欧 @ 33A，10V
                    
                
                    
                
                        不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
                        5V @ 250µA
                    
                
                    
                
                        不同 Vgs 时的栅极⌒　电荷（Qg）
                        110nC @ 10V
                    
                
                    
                
                        不同 Vds 时的▼输入电容（Ciss）
                        4460pF @ 25V
                    
                
                    
                
                        FET 功能
                        -
                    
                
                    
                
                        功率耗散（最大值）
                        350W (Tc)
                    
                
                    
                
                        工作温度
                        -55°C ~ 175°C（TJ）
                    
                
                    
                
                        安装类型
                        表面贴装
                    
                
                    
                
                        封装/外壳
                        TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
                    
                
                    
                
                        供应商器件封装
                        D2PAK
                    
                
                                
            
                
                            		
        
                
                    

                


                
 
                 
                




                

                

                

                

                


                

                


                


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