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                IRFS4229

                一般信息

                数据列表 IRFS4229PBF;
                 
                标准包装   800
                包装   标准卷带 
                类别 分立半导体╳产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 IRFS4229TRLPBF-ND 
                IRFS4229TRLPBFTR 
                SP001557392 
                 


                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET (Metal Oxide)
                漏源极电♀压(Vdss) 250V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 26A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 10V
                不同 Vds 时的」输入电容(Ciss) 4560pF @ 25V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 330W (Tc)
                工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
                供应∩商器件封装 D²PAK(TO-263AB)


                 

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