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                IRF630NS

                一般信息

                数据列表 IRF630N;
                 
                标准包装   800
                包装   标准卷带 
                类别 分立半导体↓产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 IRF630NSTRLPBF-ND 
                IRF630NSTRLPBFTR 
                SP001564548 
                 


                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET (Metal Oxide)
                漏源极①电压(Vdss) 200V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.3A(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 5.4A,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 35nC @ 10V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 82W (Tc)
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
                供应商器件封装 D2PAK


                 

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