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                IRLR3636

                 

                数据列表 IRL(R,U)3636PBF;
                标准包装 2,000
                包装 标准卷带 
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®

                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET
                漏源极电压(Vdss) 60V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 4.5V
                不同 Vds 时的输入电容【(Ciss)(最大值) 3779pF @ 50V
                Vgs(最大值) ±16V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 143W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.8 毫欧 @ 50A,10V
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                封装 D-Pak
                封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
                 

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