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                IRLB3813

                 

                数据列表 IRLB3813PbF;
                标准包装 50
                包装 管件 
                类别 分立半◆导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®

                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET
                漏源极电▃压(Vdss) 30V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 260A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA
                不同 Vgs 时的●栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 4.5V
                不同 Vds 时的输入◆电容(Ciss)(最大值) 8420pF @ 15V
                Vgs(最大值) ±20V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 230W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.95 毫欧 @ 60A,10V
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 通孔
                封装 TO-220AB
                封装/外壳 TO-220-3
                 

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