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                IRFP90N20D

                数据列表 IRFP90N20DPbF;
                标准包装 25
                包装 散装
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®
                其它名称 *IRFP90N20DPBF 

                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET(金属氧化物)
                漏源电压(Vdss) 200V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6040pF @ 25V
                Vgs(最大值) ±30V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 580W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 23 毫欧 @ 56A,10V
                工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
                安装类型 通孔
                供应商器『件封装 TO-247AC
                封装/外壳 TO-247-3

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