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                IRF7832TRPBF

                数据列表 IRF7832PbF;
                标准包装 4,000
                包装 标准卷带
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 HEXFET®


                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET(金属氧化∏物)
                漏源电压(Vdss) 30V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA
                不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V
                电压,耦合至栅极卐电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
                Vgs(最大值) ±20V
                不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V
                电压,耦合Ψ 至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 20A,10V
                工作温度 -55°C ~ 155°C(TJ)
                安装类型 表面贴装
                供应商→器件封装 8-SO
                封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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