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                SPW35N60C3
                SPW35N60C3介绍
                数据列表 SPW35N60C3;
                标准包装 240
                包装 管件
                零件状态 不適用於新設計
                类别 分立半导体产品
                产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
                系列 CoolMOS™


                规格

                FET 类型 N 沟道
                技术 MOSFET(金属氧化物)
                漏源电压(Vdss) 650V
                电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34.6A(Tc)
                驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
                不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1.9mA
                不同 Vgs 时的栅↙极电荷 (Qg)(最大值) 200nC
                电压,耦合」至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
                Vgs(最大值) ±20V
                不同 Vds 时@ 的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF
                电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
                FET 功能 -
                功率耗散(最大值) 313W(Tc)
                不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 21.9A,10V
                工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
                安装类型 通孔
                供应商器件封装 PG-TO247-3
                封装/外壳 TO-247-3
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